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電路中的外部32.768KHZ晶體振蕩器布局
來源：http://www.element79mechanical.com 作者：億金電子 2019年09月19
電路中的外部32.768KHZ晶體振蕩器布局
1.簡介
本文檔描述了與Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768KHz振蕩器電路.它提供了必需的組件,原理圖和建議的布局指南.下面跟億金電子一起了解.
2.振蕩器電路描述
該電路使用無緩沖逆變器,四個外部電阻,兩個電容和一個32.768KHz晶振.
3.原理圖和物料清單
圖1顯示了外部石英晶體振蕩器電路原理圖.表1顯示了具有組件值的物料清單,供應(yīng)商和描述.
圖1. 32.768KHz晶體振蕩器電路原理圖
3.1.原理圖說明
電阻器R3和R4限制了無緩沖逆變器的電流驅(qū)動能力.這保持了當(dāng)前當(dāng)VIO=3.3V時,電路的功耗約為8uA.電阻R2將逆變器偏置為線性操作區(qū)域啟動和維持振蕩.為了不超過最大石英晶振功耗,必須控制輸送到晶體的總功率.電阻器 R1在該示例中提供該電流限制電路如圖1所示并經(jīng)過調(diào)整,以確保ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制不是超標(biāo).對于不同的石英貼片晶體檢查數(shù)據(jù)表,以確保最大功耗不是超標(biāo).電容器C1和C2為所需的晶體振蕩提供所需的負(fù)載電容頻率為32.768KHz.
3.2.材料清單
4.布局建議
逆變器的輸入是高阻抗節(jié)點(diǎn),對噪聲敏感.因此,應(yīng)特別小心用于將電路的這部分與數(shù)字信號或其他噪聲源隔離開來.通過a圍繞此節(jié)點(diǎn)建議使用地面軌跡或平面.圖2顯示了電路的敏感部分,圖3顯示了使用接地填充進(jìn)行隔離的示例從數(shù)字信號輸入逆變器.
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圖2.突出顯示噪聲敏感區(qū)域的32.768kHz晶體振蕩器電路
圖3.示例布局顯示使用地面填充以最小化噪聲
Silicon晶振公司旨在為客戶提供高品質(zhì),高性能,低功耗的石英晶體振蕩器,SMD晶振產(chǎn)品,以及提供有關(guān)系統(tǒng)和軟件實(shí)施者可用的所有外圍設(shè)備,模塊等.億金電子代理Silicon晶振,為廣大用戶提供各種封裝尺寸,保證全新原裝,咨詢熱線0755-27876565.
1.簡介
本文檔描述了與Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768KHz振蕩器電路.它提供了必需的組件,原理圖和建議的布局指南.下面跟億金電子一起了解.
2.振蕩器電路描述
該電路使用無緩沖逆變器,四個外部電阻,兩個電容和一個32.768KHz晶振.
3.原理圖和物料清單
圖1顯示了外部石英晶體振蕩器電路原理圖.表1顯示了具有組件值的物料清單,供應(yīng)商和描述.
3.1.原理圖說明
電阻器R3和R4限制了無緩沖逆變器的電流驅(qū)動能力.這保持了當(dāng)前當(dāng)VIO=3.3V時,電路的功耗約為8uA.電阻R2將逆變器偏置為線性操作區(qū)域啟動和維持振蕩.為了不超過最大石英晶振功耗,必須控制輸送到晶體的總功率.電阻器 R1在該示例中提供該電流限制電路如圖1所示并經(jīng)過調(diào)整,以確保ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制不是超標(biāo).對于不同的石英貼片晶體檢查數(shù)據(jù)表,以確保最大功耗不是超標(biāo).電容器C1和C2為所需的晶體振蕩提供所需的負(fù)載電容頻率為32.768KHz.
3.2.材料清單
逆變器的輸入是高阻抗節(jié)點(diǎn),對噪聲敏感.因此,應(yīng)特別小心用于將電路的這部分與數(shù)字信號或其他噪聲源隔離開來.通過a圍繞此節(jié)點(diǎn)建議使用地面軌跡或平面.圖2顯示了電路的敏感部分,圖3顯示了使用接地填充進(jìn)行隔離的示例從數(shù)字信號輸入逆變器.
Silicon晶振公司旨在為客戶提供高品質(zhì),高性能,低功耗的石英晶體振蕩器,SMD晶振產(chǎn)品,以及提供有關(guān)系統(tǒng)和軟件實(shí)施者可用的所有外圍設(shè)備,模塊等.億金電子代理Silicon晶振,為廣大用戶提供各種封裝尺寸,保證全新原裝,咨詢熱線0755-27876565.
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