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常見(jiàn)問(wèn)題

  • 振蕩電路和晶振之間匹配時(shí)最適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)是什么     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:768

    對(duì)于作為無(wú)源元件的晶體單元,必須優(yōu)化客戶(hù)電路的振蕩條件.億金電子確認(rèn)并評(píng)估客戶(hù)電路和晶體單元之間的匹配,并提出最佳條件.指標(biāo)由電路評(píng)審服務(wù)確認(rèn),檢查振蕩電路...

  • 晶振負(fù)電阻的啟動(dòng)特性是什么?負(fù)電阻如何測(cè)量?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:1895

    晶振負(fù)電阻的啟動(dòng)特性是什么?負(fù)電阻如何測(cè)量?存在一種使用AGC(自動(dòng)增益控制)功能的IC僅在晶體振蕩器開(kāi)始振蕩時(shí)增加增益(下文中簡(jiǎn)稱(chēng)為啟動(dòng)).在使用這種IC的振蕩電...

  • 外部應(yīng)力施加在鉛型陶瓷晶振上有什么風(fēng)險(xiǎn)?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:606

    該產(chǎn)品由中空結(jié)構(gòu)和振動(dòng)內(nèi)部空間組成,并在兩端固定元件.如果在處理或安裝陶瓷晶體,陶瓷諧振器時(shí)對(duì)產(chǎn)品主體施加過(guò)大的力,則內(nèi)部元件可能會(huì)發(fā)生碎裂或破裂.處理或安...

  • 什么是基于MEMS諧振器的定時(shí)設(shè)備     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:610

    MEMS諧振器是指微機(jī)電系統(tǒng),它是由使用半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)的3D微結(jié)構(gòu)組成的器件.振蕩器和諧振器有什么區(qū)別?振蕩器是集成的器件,其將振蕩電路與諧振器集成在一起.諧...

  • 陶瓷晶振在振蕩電路中應(yīng)使用哪種類(lèi)型的電容作為負(fù)載電容?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:762

    具有優(yōu)良頻率特性的陶瓷晶振最適合作為振蕩電路中的負(fù)載電容器,因?yàn)橥ǔX?fù)載電容大約為1.振蕩電路需要3pF至2200pF.由于CERALOCK系列的陶瓷諧振器的振蕩頻率?根據(jù)...

  • 插件陶瓷晶體引腳可以置于液體中嗎?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:727

    使用時(shí),請(qǐng)勿將插件陶瓷晶體本體暴露在含水的液體中.插件陶瓷晶體不包含屏蔽結(jié)構(gòu).如果產(chǎn)品暴露在液體中,則由于外部溫度變化引起的呼吸,存在液體滲入產(chǎn)品內(nèi)部的風(fēng)險(xiǎn)...

  • 是什么原因?qū)е碌氖⒕w振蕩頻率隨溫度漂移不正常?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:1476

    使用晶振過(guò)程中我們都知道溫度漂移會(huì)間接影響到晶振的質(zhì)量問(wèn)題,那么接下來(lái)我們所要探討的是什么原因?qū)е碌氖⒕w振蕩頻率隨溫度漂移不正常. 石英晶振晶體振蕩頻...

  • Sitime MEMS振蕩器受“活動(dòng)下降”因素影響嗎?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:675

    “活動(dòng)下降”被定義為基于石英晶體振蕩器中頻率的突然變化.SiTime MEMS振蕩模式主要由硅的材料特性決定,所有模式或寄生響應(yīng)特性隨溫度變化的方式與基本振蕩模式完...

  • OCXO恒溫晶振與特種晶體振蕩器分類(lèi)介紹     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:688

    什么是OCXO晶體振蕩器?具有什么獨(dú)特之處?OCXO是恒溫晶體振蕩器的縮寫(xiě).這種器件具有很高的穩(wěn)定性,通常優(yōu)于±50ppb,甚至經(jīng)常達(dá)到±5至±20ppb之間.OCXO將溫度感知...

  • Sitime的Elite Super-TCXO和石英TCXO晶振的主要區(qū)別是什么?     評(píng)論:0 點(diǎn)擊:631

    相較于石英TCXO晶體振蕩器,Elite Super-TCXO晶振通過(guò)在氣流、溫度快速變化、機(jī)械沖擊、振動(dòng)、EMI和電源噪聲的環(huán)境下提供穩(wěn)定時(shí)鐘帶來(lái)了優(yōu)異動(dòng)態(tài)特性.Elite產(chǎn)品還提...

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