石英晶體在振蕩線(xiàn)路上的”負(fù)載電容(load capacitance)”定義為:從石英晶體共振子的兩個(gè)端子看向振蕩線(xiàn)路所遭遇到的所有電容值. 負(fù)載電容在線(xiàn)路上可以與石英晶體共振子以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線(xiàn)路中, 負(fù)載電容(CL)的大小會(huì)影響公稱(chēng)頻率的特性.石英頻率組件頻率對(duì)溫度穩(wěn)定性的特性, 亦如同公稱(chēng)頻率誤差一樣, 是以ppm或是以% 為計(jì)量單位. 組件的頻率溫度特性曲線(xiàn)與石英的切割角度, 振蕩模態(tài), 表面處理及外型尺寸都有很大的關(guān)系. 除此之外, 振蕩線(xiàn)路上的負(fù)載電容(CL), 驅(qū)動(dòng)功率(drive level)的特性, 也會(huì)影響到振蕩線(xiàn)路輸出頻率對(duì)溫度變化的穩(wěn)定性.石英晶振頻率對(duì)溫度穩(wěn)定性取決于石英頻率因溫度變化而改變, 這是因起于石英材料在各個(gè)坐標(biāo)軸向的熱膨脹系數(shù)不同, 當(dāng)溫度變化時(shí), 各軸向晶格距產(chǎn)生些許變化. 當(dāng)引用不同的切割角度時(shí), 不同振蕩模態(tài)的之變化也會(huì)不同。

       以AT切割角度的厚度剪切振蕩模態(tài)的設(shè)計(jì), 一般是采用攝氏25度作為參考溫度點(diǎn)的頻率來(lái)定義在工作環(huán)境溫度范圍內(nèi)的頻率變動(dòng)的穩(wěn)定性. 在定義這項(xiàng)頻率對(duì)溫度穩(wěn)定性參數(shù)的同時(shí), 也應(yīng)該一同規(guī)范出相對(duì)應(yīng)的工作環(huán)境溫度范圍,等效串聯(lián)阻抗當(dāng)石英晶體串聯(lián)振蕩在fs時(shí), C1及L1是相反相位而互相抵消, 整個(gè)共振子的動(dòng)態(tài)支臂(motional arm) 的導(dǎo)納是接近最小阻抗值R1. 這時(shí)候整個(gè)石英晶體共振子的表現(xiàn)僅是一個(gè)電阻性的組件. 電阻值R1是整個(gè)組件的機(jī)械性能量損耗. 其中包含了石英材料, 接著材料及封裝材料上所有的能量損耗.
  
    石英晶體的驅(qū)動(dòng)功率是指石英晶體共振子的消耗功率. 一般是以微瓦(microwatt)表示. 振蕩線(xiàn)路的設(shè)計(jì)上必須提供適當(dāng)?shù)墓β首屖⒕w共振子開(kāi)始起振并維持振蕩. 石英晶體的振蕩是屬于物理上的高頻機(jī)械振動(dòng), 振蕩時(shí)的電氣阻抗值約在10~100奧姆以下( 依頻率范圍及尺寸大小有差異). 振蕩線(xiàn)路若提供過(guò)高的驅(qū)動(dòng)功率, 會(huì)使石英晶體的非線(xiàn)性特性變化及石英/電極/接著材料的接口惡化, 進(jìn)而造成振蕩頻率FL及等效阻抗R1的過(guò)度變化. 石英晶體在長(zhǎng)時(shí)期的過(guò)高驅(qū)動(dòng)功率下工作, 會(huì)有不穩(wěn)定的現(xiàn)象. 隨著各類(lèi)應(yīng)用面的低消耗功率需求及產(chǎn)品小形化趨勢(shì), 加上近幾年石英產(chǎn)品的技術(shù)大幅提升, 石英晶體共振子的電氣阻抗值整體都下降而且穩(wěn)定. 振蕩線(xiàn)路的設(shè)計(jì)不需要,也不應(yīng)該提供過(guò)高的驅(qū)動(dòng)能量在石英晶體共振子上面.