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首頁晶振行業(yè)動態(tài) 聲表面波內(nèi)部結(jié)構(gòu)與波形曲線

聲表面波內(nèi)部結(jié)構(gòu)與波形曲線

來源：http://www.element79mechanical.com 作者：yijin 2014年02月11
   【SAW】中文簡稱為聲表面波，或者是（聲表面濾波器）產(chǎn)品內(nèi)部是采用壓電石英晶片制作而成，基本工作原理是晶片通過電壓起到壓電效應(yīng)，并且在基片表面發(fā)生周期性的彈性形變，并沿著晶體基片表面向兩個(gè)方向傳播，便產(chǎn)生了波形。利用石英、鈮酸鋰、鈦酸鋇晶體具有壓效應(yīng)的性質(zhì)做成的，所謂壓電效應(yīng)。其中一個(gè)方向上的聲表面波被吸聲材料所吸收，另一個(gè)方向上的聲表面波沿晶體基片表面?zhèn)魉偷捷敵?nbsp;   早期主要應(yīng)用領(lǐng)域是軍事雷達(dá)，探測器，軍用無線對講，軍用無線電臺等軍用高科技產(chǎn)品，后來隨著世界大戰(zhàn)的結(jié)束，民用科技的發(fā)展迅速，聲表面濾波器系列，被廣泛應(yīng)用家電類產(chǎn)品，以及通信類產(chǎn)品，比如移動通信發(fā)射塔，以及發(fā)射基站。民用產(chǎn)品比如早期的黑白電視機(jī)，或者是采用電視等制式影像機(jī)系列，在影像機(jī)內(nèi)部主要應(yīng)用在高頻調(diào)諧器，起到接收頻道的濾波作用。
聲表面波內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳細(xì)圖如下：

   【聲表面波的基本含義】
當(dāng)聲表面波通電之后內(nèi)部晶片產(chǎn)生電能效應(yīng)，即是當(dāng)晶體受到機(jī)械作用時(shí)，將產(chǎn)生與壓力成正比的電場的現(xiàn)象。具有壓電效應(yīng)的晶體，在受到電信號的作用時(shí)，也會產(chǎn)生彈性形變而發(fā)出機(jī)械波（聲波），即可把電信號轉(zhuǎn)為聲信號。|（正因?yàn)楫a(chǎn)生了聲表面波的傳播效應(yīng)）被稱呼為聲表面波。
   【聲表面波的簡單理解】
聲表面波是指沿固體表面?zhèn)鞑サ牟?，且能量集中于表面?br /> 傳播速度比電磁波的傳播速度小五個(gè)數(shù)量級。
在聲表面波傳播途中，可任意存取信號。
能利用集成電路技術(shù)制造聲表面波器件。

聲表面濾波器的特點(diǎn)：
  通過以上對聲表濾波器的基本介紹,我們可以了解什么是聲表濾波器.其作用又是什么;這里億金電子繼續(xù)介紹聲表面濾波器的特點(diǎn),可歸納為一下幾點(diǎn)：
模擬數(shù)字兼容;
設(shè)計(jì)靈活性大;
輸入輸出阻抗誤差小;
群延遲時(shí)間偏差;
頻率選擇性優(yōu)良;
抗電磁干擾性能好;
可靠性高;
傳輸損耗小;
制作的器件體小量輕.
  SAW濾波器的特點(diǎn)適應(yīng)了現(xiàn)代通信系統(tǒng)設(shè)備及便攜式電話輕薄短小化、高性能、高可靠、數(shù)字化等方面的要求.
 
聲表面濾波器的封裝與用途：
  SAW濾波器的封裝可分為插件型和貼片型.其插件型封裝聲表面濾波器主要是：TO-39,F11.貼片型的尺寸分別有：5*5、5*3.5、3.5*3.5、3.8*3.8等.其中心頻率從105MHz – 1000MHz,封裝形式：TO39,F11,D11,D12.貼片型的中心頻率從300MHz – 915MHz.一般常用的中心頻率有聲表面濾波器F11-R315,聲表面濾波器TO-39R315,以及R433M、R310M、F480、L38.9、L3811/L2955等頻率.聲表濾波器的產(chǎn)品用途很廣泛,可用于電視系統(tǒng)、衛(wèi)星通訊、無線傳呼、移動通訊、計(jì)算機(jī)以及報(bào)警系統(tǒng)等領(lǐng)域;其中遙控器與定時(shí)器用的聲表濾波器是最新推出的新產(chǎn)品.而在移動通訊的應(yīng)用上,所用的所用手機(jī)里面都有數(shù)個(gè)聲表面濾波器,用來選擇不同的模式和不同的傳輸方向的頻率.隨著市場的需求,科技化的腳步加快也使得SAW濾波器的市場也越來越廣泛.

Item Freq min typ max  
Center frequency Fo 36.05 36.125 36.20 MHz

Insertion attenuation

Reference level		 36.125MHz 18.3 20.3 22.3 dB
Pass bandwidth B1dB - 7.5 - MHz
B3dB - 8.0 - MHz
B30dB - 9.4 - MHz

Relative attenuation

 32.32MHz - 1.2 -

dB
39.93MHz -0.4 1.1 2.6

dB
32.13MHz 1.6 3.1 4.6 dB
40.13MHz 1.7 3.2 4.7 dB
31.25MHz 35.0 48.0 - dB
47.25MHz 40.0 52.0 - dB

Sidelobe

 25.00~29.50MHz 35.0 41.0   dB
29.50~31.25MHz 31.0 37.0   dB
40.90~43.50MHz 31.0 37.0   dB
43.50~50.00MHz 35.0 42.0   dB
Reflected wave signal suppression
1.2 us … 6.0 us after main pulse
(test pulse 250 ns ,
carrier frequency 36.125 MHz)		 42.0 52.0   dB
Feedthrough signal suppression
1.3 us … 1.2 us before main pulse
(test pulse 250 ns ,
carrier frequency 36.125 MHz)		 45.0 54.0   dB

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