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首頁進(jìn)口晶振VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛普生晶振代理,晶振批量價格,VG-4512CA 125.0000M-GGCT0

VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛普生晶振代理,晶振批量價格,VG-4512CA 125.0000M-GGCT0

頻率：80~200MHZ
尺寸：5X7mm詳細(xì)請瀏覽PDF文檔
應(yīng)　用： 貼片晶振,"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0"石英晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛普生晶振代理,晶振批量價格，"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

項目	記號	VG-4512CA	條件
頻率	f_nom	80~200MHZ
頻率容許偏差	f_tol	±20x10−6, ±50x10−6
頂點溫度	Ti	+25±5°C
二級溫度系數(shù)	B	(−3.5±1.0)x10−8/°C2
負(fù)載容量	CL	7.0pF/9.0pF/12.5pF
串聯(lián)電阻	R1	65kÙ 最大值
絕對最大激勵等級	DLmax.	1μW
推薦激勵等級	DL	0.1μW
并聯(lián)電容	C0	0.8pF 典型值
頻率老化程度	f_age	±3x10-6	+25±3°C，第一年
工作溫度范圍	T_use	-20°C～+70°C
保存溫度范圍	T_stg	-55°C～+125°C	單件保管

"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.一個穩(wěn)定的石英晶體振蕩器振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.

例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶體的電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.

"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0", 愛普生科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.

聯(lián)系人：黃娜

公司：深圳市億金電子有限公司
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