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首頁(yè)進(jìn)口晶振VG-1201CA貼片晶振,進(jìn)口晶振價(jià)格,愛(ài)普生有源晶振型號(hào)

VG-1201CA貼片晶振,進(jìn)口晶振價(jià)格,愛(ài)普生有源晶振型號(hào)

  • 頻率：1.0~60.0MHZ
  • 尺寸：7.0x5.0x1.4mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.
  • RoHS RoHS2

            VG-1201CA貼片晶振,進(jìn)口晶振價(jià)格,愛(ài)普生有源晶振型號(hào),小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn).
項(xiàng)目 記 號(hào) VG-1201CA 條 件
頻率 f_nom 1.0~60.0MHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5°C  
二級(jí)溫度系數(shù) B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負(fù)載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯(lián)電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) DLmax. 1μW  
推薦激勵(lì)等級(jí) DL 0.1μW  
并聯(lián)電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C，第一年
工作溫度范圍 T_use -20°C～+70°C  
保存溫度范圍 T_stg -55°C～+125°C 單件保管


         一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
         例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶體的電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.

              2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證. 
          愛(ài)普生晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
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