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測量晶振振蕩頻率差異的方法

來源：http://www.element79mechanical.com 作者：億金電子 2019年08月16
         億金電子專業(yè)生產(chǎn)銷售石英晶體,SMD晶振,除了優(yōu)異的產(chǎn)品,億金電子也免費(fèi)提供晶振技術(shù)資料以及產(chǎn)品解決方案.以下是億金電子介紹的測量晶振振蕩頻率差異的方法.
         如先前所介紹的(晶振振蕩頻率差概述),振蕩頻率的差異由下式表示,因此測量目標(biāo)是a和b.
      
　     dF：電路上的晶體振蕩器振蕩頻率與參考頻率
     　F 之間的差值：參考頻率
     　a：指定負(fù)載電容下的晶體振蕩器振蕩頻率CL
     　b：電路上的 晶體振蕩器振蕩頻率
         1、“a：在指定負(fù)載容量CL下的晶體振蕩器振蕩頻率”的測量方法
        <概述>使用
        網(wǎng)絡(luò)分析儀和負(fù)載容量CL夾具,以下測量程序(當(dāng)NDK晶體振蕩器安裝在基板上時(shí)*按照步驟1)測量實(shí)驗(yàn)晶體單元的頻率.
        (*1)如果板上沒有安裝NDK晶振產(chǎn)品,請準(zhǔn)備適當(dāng)?shù)腘DK晶體單元并將其用作實(shí)驗(yàn)晶體單元.
        <測量程序>
        (1)用烙鐵拆下安裝在電路板上的石英貼片晶振單元.
        (2)去除附著在石英晶體單元上的多余焊料后,等到晶體單元達(dá)到室溫.
        (3)將晶體單元設(shè)置在負(fù)載容量CL jig中(負(fù)載容量CL jig的容量是規(guī)格中指定的負(fù)載容量CL).
        (4)在網(wǎng)絡(luò)分析儀上設(shè)置負(fù)載容量CL jig,并根據(jù)網(wǎng)絡(luò)分析儀手冊測量晶體單元的頻率.
       2、“b：電路上的晶體振蕩器振蕩頻率”的測量方法
       <概述>將實(shí)驗(yàn)石英晶振,晶體振蕩器安裝在基板上,并且使用以下測量程序在指定的溫度條件下測量振蕩頻率.
      <測量程序>
      (1)使用烙鐵等將實(shí)驗(yàn)晶振晶體單元安裝在基板上.
      (2)在將晶體單元及其周圍環(huán)境穩(wěn)定在指定溫度之后,晶體單元振蕩,并且天線以非接觸方式獲取振蕩信號(hào)*2.
      (3)由天線擴(kuò)展的振蕩信號(hào)由放大器放大到可由頻率計(jì)數(shù)器穩(wěn)定測量的信號(hào)電平.
      (4)用頻率計(jì)測量晶振晶體的振蕩頻率.
      (*2)當(dāng)通過使電壓探針與振蕩電路接觸來測量振蕩頻率時(shí),電壓探針的電容增加并且振蕩電路電容改變,這影響振蕩頻率.NDK晶振公司使用非接觸方法更準(zhǔn)確地測量振蕩頻率.
      電路上晶體振蕩頻率的測量圖像如下所示.
晶體振蕩器振蕩頻率的測量圖像在電路上
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